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文献
J-GLOBAL ID：200902203110923520
整理番号：09A0769284
N,N’-ビス(n-ペンチル)テリレン-3,4:11,12-テトラカルボキシジイミド薄膜トランジスタの可変温度特性
Variable temperature characterization of N,N′-Bis(n-pentyl)terrylene-3,4:11,12-tetracarboxylic diimide thin film transistor
PETIT Matthieu
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
HAYAKAWA Ryoma
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
CHIKYOW Toyohiro
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
,
HILL Jonathan P.
(World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...)
,
ARIGA Katsuhiko
(World Premier International (WPI) Res. Center for Materials Nanoarchitectonics (MANA), NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba ...)
,
WAKAYAMA Yutaka
(Advanced Electronic Materials Center, NIMS, 1-1 Namiki, Tsukuba 305-0044, JPN)
資料名：
Organic Electronics
(Organic Electronics)
巻： 10 号： 6 ページ： 1187-1190 発行年： 2009年09月
JST資料番号： W1352A ISSN： 1566-1199 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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