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文献
J-GLOBAL ID：200902203403810592
整理番号：09A0248322
二段階堆積とポストアニーリング技術の組み合わせで製膜したCuScO2エピタキシャル膜の光学的電気的特性
Optical and electrical properties of CuScO2 epitaxial films prepared by combining two-step deposition and post-annealing techniques
KAKEHI Yoshiharu
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)
,
SATOH Kazuo
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)
,
YOTSUYA Tsutom
(Technol. Res. Inst. of Osaka Prefecture, 2-7-1 Ayumino, Izumi, Osaka 594-1157, JPN)
,
MASUKO Keiichiro
(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)
,
YOSHIMURA Takeshi
(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)
,
ASHIDA Atsushi
(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)
,
FUJIMURA Norifumi
(Dep. of Physics and Electronics, Graduate School of Engineering, Osaka Prefecture Univ., 1-1 Gakuen-cho, Naka-ku ...)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 311 号： 4 ページ： 1117-1122 発行年： 2009年02月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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