文献
J-GLOBAL ID:200902203517819662
整理番号:08A0979154
高アスペクト比P/Nコラム構造を持つ600V級超接合MOSFET
600V-class Super Junction MOSFET with High Aspect Ratio P/N Columns Structure
著者 (6件):
SAKAKIBARA Jun
(DENSO Corp., Aichi, JPN)
,
NODA Yoshitaka
(DENSO Corp., Aichi, JPN)
,
SHIBATA Takumi
(DENSO Corp., Aichi, JPN)
,
NOGAMI Shoji
(SUMCO Corp., Saga, JPN)
,
YAMAOKA Tomonori
(SUMCO Corp., Saga, JPN)
,
YAMAGUCHI Hitoshi
(DENSO Corp., Aichi, JPN)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
20th
ページ:
299-302
発行年:
2008年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)