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文献
J-GLOBAL ID：200902203539156020
整理番号：05A0773540
GaAs-(Ga,Al)As量子井戸における励起子状態に対する静水圧と印加電場の効果
Effects of hydrostatic pressure and applied electric fields on the exciton states in GaAs-(Ga,Al)As quantum wells
RAIGOZA N.
(Instituto de Fisica, Universidad de Antioquia, AA 1226 Medellin, Colombia)
,
DUQUE C.a.
(Instituto de Fisica, Universidad de Antioquia, AA 1226 Medellin, Colombia)
,
REYES-GOMEZ E.
(Dep. of Theoretical Physics, Univ. of Havana, San Lazaro y L, Vedado 10400, Havana, Cuba)
,
OLIVEIRA L.e.
(Instituto de Fisica, Unicamp, CP 6165, Campinas, Sao Paulo 13083-970, BRA)
資料名：
Physica B. Condensed Matter
(Physica B. Condensed Matter)
巻： 367 号： 1-4 ページ： 267-274 発行年： 2005年10月01日
JST資料番号： H0676B ISSN： 0921-4526 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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