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文献
J-GLOBAL ID：200902203590788643
整理番号：06A0447785
N2及びH2プラズマによる有機低k膜のエッチング中の表面反応
Surface reactions during etching of organic low-k films by plasmas of N2 and H2
ISHIKAWA Kenji
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
,
YAMAOKA Yoshikazu
(Assoc. of Super-advanced Electronics Technol. (ASET), 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
NAKAMURA Moritaka
(Assoc. of Super-advanced Electronics Technol. (ASET), 3-1 Morinosato-Wakamiya, Atsugi-shi, Kanagawa 243-0198, JPN)
,
YAMAZAKI Yuichi
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST TC 2-13, 1-1-1 Umezono ...)
,
YAMASAKI Satoshi
(Diamond Res. Center, National Inst. of Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), AIST TC 2-13, 1-1-1 Umezono ...)
,
ISHIKAWA Yasushi
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
,
SAMUKAWA Seiji
(Inst. of Fluid Sci., Tohoku Univ., 2-1-1 Katahira, Aoba-ku, Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 99 号： 8 ページ： 083305-083305-6 発行年： 2006年04月15日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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