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文献
J-GLOBAL ID：200902203830193219
整理番号：06A0864437
マグネトロンスパッタリング法で作製したp型半導体性のCu2O-NiO薄膜
P-type semiconducting Cu2O-NiO thin films prepared by magnetron sputtering
MIYATA Toshihiro
(Kanazawa Inst. of Technol., Ishikawa, JPN)
,
TANAKA Hideki
(Gunze Ltd., Shiga, JPN)
,
SATO Hirotoshi
(Gunze Ltd., Shiga, JPN)
,
MINAMI Tadatsugu
(Kanazawa Inst. of Technol., Ishikawa, JPN)
資料名：
Journal of Materials Science
(Journal of Materials Science)
巻： 41 号： 17 ページ： 5531-5537 発行年： 2006年09月
JST資料番号： B0722A ISSN： 0022-2461 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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