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文献
J-GLOBAL ID：200902203839758030
整理番号：09A0713395
オゾン支援スパッタリングで作製した正方晶ZrO2ゲート誘電体の誘電性の向上
Improved Dielectric Properties of Tetragonal ZrO2 Gate Dielectric Fabricated by Ozone-Assisted Sputtering
ZHOU Ying
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
INOSAKA Naoya
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
SASAKI Kimihiro
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
,
KUMEDA Minoru
(Kanazawa Univ., Kanazawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 6,Issue 1 ページ： 060208.1-060208.3 発行年： 2009年06月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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