文献
J-GLOBAL ID:200902203859923267
整理番号:07A0117139
SOI p-チャネルMOS電界効果トランジスタにおけるNBTI
NBTI in SOI p-Channel MOS Field Effect Transistors
著者 (5件):
LIU S. T.
(Honeywell Defense & Space Electronic Systems, MN)
,
IOANNOU D. E.
(George Mason Univ., VA)
,
IOANNOU D. P.
(George Mason Univ., VA)
,
FLANERY M.
(Honeywell Defense & Space Electronic Systems, MN)
,
HUGHES H. L.
(Naval Res. Lab., Washington, D.C.)
資料名:
2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report
(2005 IEEE International Integrated Reliability Workshop Final Report)
ページ:
17-21
発行年:
2005年
JST資料番号:
K20060035
ISBN:
0-7803-8992-1
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)