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文献
J-GLOBAL ID：200902203926283588
整理番号：03A0637726
光酸化による高絶縁超薄SiO2膜の成長
Highly insulating ultrathin SiO2 film grown by photooxidation
FUKANO A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
OYANAGI H
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
資料名：
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻： 94 号： 5 ページ： 3345-3349 発行年： 2003年09月01日
JST資料番号： C0266A ISSN： 0021-8979 CODEN： JAPIAU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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