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文献
J-GLOBAL ID：200902203952564854
整理番号：08A0578567
45nm技術ノードLP N-MOSFETの統計的変動源の定量評価
Quantitative Evaluation of Statistical Variability Sources in a 45-nm Technological Node LP N-MOSFET
CATHIGNOL Augustin
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
CATHIGNOL Augustin
(IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
,
CHENG B.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
CHANEMOUGAME D.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
BROWN A. R.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
,
ROCHEREAU K.
(STMicroelectronics, Crolles, FRA)
,
GHIBAUDO G.
(IMEP-LAHC, Grenoble, FRA)
,
ASENOV A.
(Univ. Glasgow, Glasgow, GBR)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 29 号： 6 ページ： 609-611 発行年： 2008年06月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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