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文献
J-GLOBAL ID:200902203998036313   整理番号:05A0542217

単一の熱処理によって形成した4H-SiC上でのNi/Ti OhmおよびSchottky接触

Ni/Ti ohmic and Schottky contacts on 4H-SiC formed with a single thermal treatment
著者 (5件):
PEREZ R.
(CSIC, Bellaterra, ESP)
MESTRES N.
(CSIC, Bellaterra, ESP)
TOURNIER D.
(CSIC, Bellaterra, ESP)
GODIGNON P.
(CSIC, Bellaterra, ESP)
MILLAN J.
(CSIC, Bellaterra, ESP)

資料名:
Diamond and Related Materials  (Diamond and Related Materials)

巻: 14  号: 3/7  ページ: 1146-1149  発行年: 2005年03月 
JST資料番号: W0498A  ISSN: 0925-9635  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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