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文献
J-GLOBAL ID：200902204036057501
整理番号：06A0716295
HiSIM2:RF回路シミュレーション用最新MOSFETモデルの正確度
HiSIM2: Advanced MOSFET Model Valid for RF Circuit Simulation
MIURA-MATTAUSCH Mitiko
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SADACHIKA Norio
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
NAVARRO Dondee
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUZUKI Gaku
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
SUZUKI Gaku
(Matsushita Electric Industrial Corp., Kyoto, JPN)
,
TAKEDA Youichi
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
TAKEDA Youichi
(Sanyo Electric Corp., Osaka, JPN)
,
MIYAKE Masataka
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
WARABINO Tomoyuki
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MIZUKANE Yoshio
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
INAGAKI Ryosuke
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
EZAKI Tatsuya
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
MATTAUSCH Hans Juergen
(Hiroshima Univ., Hiroshima, JPN)
,
OHGURO Tatsuya
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
IIZUKA Takahiro
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
TAGUCHI Masahiko
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
KUMASHIRO Shigetaka
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
,
MIYAMOTO Shunsuke
(Semiconductor Technol. Academic Res. Center, Yokohama, JPN)
資料名：
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 53 号： 9 ページ： 1994-2007 発行年： 2006年09月
JST資料番号： C0222A ISSN： 0018-9383 CODEN： IETDAI 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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