文献
J-GLOBAL ID:200902204082454647
整理番号:06A0064322
希薄磁性半導体での埋込まれたクラスタ形成の役割 CrドープGaN
Role of Embedded Clustering in Dilute Magnetic Semiconductors: Cr Doped GaN
著者 (6件):
CUI X. Y.
(Univ. Sydney, New South Wales, AUS)
,
MEDVEDEVA J. E.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
DELLEY B.
(Paul Scherrer Inst., Villigen, CHE)
,
FREEMAN A. J.
(Northwestern Univ., Illinois, USA)
,
NEWMAN N.
(Arizona State Univ., Arizona, USA)
,
STAMPFL C.
(Univ. Sydney, New South Wales, AUS)
資料名:
Physical Review Letters
(Physical Review Letters)
巻:
95
号:
25
ページ:
256404.1-256404.4
発行年:
2005年12月16日
JST資料番号:
H0070A
ISSN:
0031-9007
CODEN:
PRLTAO
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)