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文献
J-GLOBAL ID：200902204115364002
整理番号：04A0656942
SODI構造をベースとする横型パワーデバイスによる高破壊電圧IC
A High Breakdown Voltage IC with Lateral Power Device based on SODI structure
AKIYAMA H
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
YASUDA N
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
MORITANI J
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
TAKANASHI K
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
,
MAJUMDAR G
(Mitsubishi Electric Corp., Fukuoka, JPN)
資料名：
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 16th ページ： 375-378 発行年： 2004年
JST資料番号： W1300A ISSN： 1943-653X 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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