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文献
J-GLOBAL ID：200902204193869609
整理番号：07A0762975
[100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有するMetal/High-kゲート電極MOSFETs
High-Performance CMOS Device Technologies Featuring Metal/High-k Gate Electrodes with Uniaxially-Strained Silicon Channels on {100} and {110} Substrates
若林整
(ソニー)
,
舘下八州志
(ソニー)
,
WANG J.
(ソニー)
,
長野香
(ソニー)
,
平野智之
(ソニー)
,
宮波勇樹
(ソニー)
,
生田哲也
(ソニー)
,
片岡豊隆
(ソニー)
,
菊池善明
(ソニー)
,
山口晋平
(ソニー)
,
安藤崇志
(ソニー)
,
田井香織
(ソニー)
,
松本良輔
(ソニー)
,
藤田繁
(ソニー)
,
山根千種
(ソニー)
,
山本亮
(ソニー)
,
神田さおり
(ソニー)
,
釘宮克尚
(ソニー)
,
木村忠之
(ソニー)
,
大地朋和
(ソニー)
,
山本雄一
(ソニー)
,
長濱嘉彦
(ソニー)
,
萩本賢哉
(ソニー)
,
田川幸雄
(ソニー)
,
塚本雅則
(ソニー)
,
岩元勇人
(ソニー)
,
齋藤正樹
(ソニー)
,
門村新吾
(ソニー)
,
長島直樹
(ソニー)
資料名：
半導体・集積回路技術シンポジウム講演論文集
(Proceedings of the Symposium on Semiconductors and Integrated Circuits Technology)
巻： 71st ページ： 11-14 発行年： 2007年07月12日
JST資料番号： F0108B 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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