文献
J-GLOBAL ID:200902204228939583
整理番号:03A0277681
第一原理擬ポテンシャル法により計算したドープZnSおよびZnOの電子構造の比較
Comparison of electronic structures of doped ZnS and ZnO calculated by a first-principle pseudopotential method.
著者 (3件):
IMAI Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
WATANABE A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
,
SHIMONO I
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)
資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻:
14
号:
3
ページ:
149-156
発行年:
2003年03月
JST資料番号:
W0003A
ISSN:
0957-4522
CODEN:
JMTSAS
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)