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文献
J-GLOBAL ID:200902204228939583   整理番号:03A0277681

第一原理擬ポテンシャル法により計算したドープZnSおよびZnOの電子構造の比較

Comparison of electronic structures of doped ZnS and ZnO calculated by a first-principle pseudopotential method.
著者 (3件):
IMAI Y
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
WATANABE A
(National Inst. Advanced Industrial Sci. and Technol. (AIST), Ibaraki, JPN)
SHIMONO I
(Hokkaido Industrial Technol. Center, Hakodate, JPN)

資料名:
Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)

巻: 14  号:ページ: 149-156  発行年: 2003年03月 
JST資料番号: W0003A  ISSN: 0957-4522  CODEN: JMTSAS  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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