文献
J-GLOBAL ID:200902204314663639
整理番号:06A0140333
パルスストレス下におけるトンネル酸化物劣化
Tunnel oxide degradation under pulsed stress
著者 (6件):
GHIDINI G.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
CAPOLUPO C.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
GIUSTO G.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
SEBASTIANI A.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
STRAGLIATI B.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
,
VITALI M.
(STMicroelectronics, Agrate Brianza, ITA)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
45
号:
9-11
ページ:
1337-1342
発行年:
2005年09月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)