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文献
J-GLOBAL ID：200902204353242691
整理番号：04A0365150
相補型金属-酸化膜-半導体の代替ゲート絶縁膜としての二元酸化物の安定性の熱力学的考察
Thermodynamic considerations in the stability of binary oxides for alternative gate dielectrics in complementary metal-oxide-semiconductors
STEMMER S
(Univ. California, California)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)
巻： 22 号： 2 ページ： 791-800 発行年： 2004年03月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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