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文献
J-GLOBAL ID：200902204470423702
整理番号：05A0351745
ゲート絶縁体としてSiO2およびSiNを用いたAlGaN/GaN-二重絶縁体型金属酸化膜半導体高電子移動度トランジスタの作製
Fabrication of AlGaN/GaN double-insulator metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using SiO2 and SiN as gate insulators
BALACHANDER Krishnan
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
ARULKUMARAN Subramaniam
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
SANO Y.
(Oki Electric Ind. Co. Ltd., Tokyo, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
BASKAR Krishnan
(Anna Univ., Chennai, IND)
資料名：
Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science
(Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 202 号： 4 ページ： R32-R34 発行年： 2005年03月
JST資料番号： D0774A ISSN： 1862-6300 CODEN： PSSABA 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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