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文献
J-GLOBAL ID：200902204478921833
整理番号：05A0239067
ひ素をドープした窒化ガリウム層からの効率的な近赤外線の光ルミネセンス
Efficient Near IR Photoluminescence from Gallium Nitride Layers Doped with Arsenic
ANDRIANOV A V
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
NOVIKOV S V
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
ZHURAVLEV I S
(Ioffe Physicotechnical Inst., Russian Acad. Sci., St. Petersburg, RUS)
,
LI T
(Univ. Nottingham, GBR)
,
XIA R
(Univ. Nottingham, GBR)
,
BULL S
(Univ. Nottingham, GBR)
,
HARRISON I
(Univ. Nottingham, GBR)
,
LARKINS E C
(Univ. Nottingham, GBR)
,
FOXON C T
(Univ. Nottingham, GBR)
資料名：
Semiconductors
(Semiconductors)
巻： 39 号： 1 ページ： 73-76 発行年： 2005年01月
JST資料番号： T0093A ISSN： 1063-7826 CODEN： SMICES 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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