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文献
J-GLOBAL ID：200902204486232257
整理番号：03A0393088
低圧有機金属気相エピタキシーによって成長させたEr,O共添加GaAs/GaInP発光ダイオードからの室温1.54μm発行
Room-Temperature 1.54μm Light Emission from Er,O-Codoped GaAs/GaInP Light-Emitting Diodes Grown by Low-Pressure Organometallic Vapor Phase Epitaxy
KOIZUMI A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
FUJIWARA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
INOUE K
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
URAKAMI A
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
YOSHIKANE T
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
,
TAKEDA Y
(Nagoya Univ., Nagoya, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 42 号： 4B ページ： 2223-2225 発行年： 2003年04月30日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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