文献
J-GLOBAL ID:200902204789175094
整理番号:04A0085648
プラズマ支援分子ビームエピタクシーによるSi基板上のZnOの成長
Growth of ZnO on Si Substrate by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy
著者 (4件):
KAWAMOTO N
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
FUJITA M
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
TATSUMI T
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
,
HORIKOSHI Y
(Waseda Univ., Tokyo, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
42
号:
12
ページ:
7209-7212
発行年:
2003年12月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)