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文献
J-GLOBAL ID：200902204883557936
整理番号：08A0818607
相変化メモリーセル上でのピコ秒電気パルスによって誘発された高速相転移
Fast phase transitions induced by picosecond electrical pulses on phase change memory cells
WANG W. J.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
SHI L. P.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
ZHAO R.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
LIM K. G.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
LEE H. K.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
CHONG T. C.
(Data Storage Inst., Agency for Sci., Technol. and Res. (A*STAR), Singapore 117608, SGP)
,
WU Y. H.
(Electrical Computer Engineering Dep., National Univ. of Singapore, Singapore 117576, SGP)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 93 号： 4 ページ： 043121 発行年： 2008年07月28日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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