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文献
J-GLOBAL ID：200902204884199006
整理番号：07A0106164
低温の超清浄LPCVD法によってSi(100)基板上に成長させたSi/歪-Si0.8Ge0.2ヘテロ構造によって構成される共鳴トンネルダイオードにおける正孔のトンネル特性
Hole tunnelling properties in resonant tunnelling diodes with Si/strained Si0.8Ge0.2 heterostructures grown on Si(100) by low-temperature ultraclean LPCVD
ITO Ryota
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
SAKURABA Masao
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
,
MUROTA Junichi
(Tohoku Univ., Sendai, JPN)
資料名：
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻： 22 号： 1 ページ： S38-S41 発行年： 2007年01月
JST資料番号： E0503B ISSN： 0268-1242 CODEN： SSTEET 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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