文献
J-GLOBAL ID:200902204927158406
整理番号:03A0580658
1.7kV NPT V溝クラスタIGBT 製造と実験による証明
1.7kV NPT V-Groove Clustered IGBT-Fabrication and Experimental Demonstration.
著者 (8件):
SPULBER O
(De Montfort Univ., GBR)
,
SWEET M
(De Montfort Univ., GBR)
,
VERSHININ K
(De Montfort Univ., GBR)
,
LUTHER-KING N
(De Montfort Univ., GBR)
,
SANKARA-NARAYANAN E M
(De Montfort Univ., GBR)
,
DE SOUZA M M
(De Montfort Univ., GBR)
,
FLORES D
(Centro Nacional de Microelectronica, Barcelona, ESP)
,
MILLAN J
(Centro Nacional de Microelectronica, Barcelona, ESP)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
15th
ページ:
345-348
発行年:
2003年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)