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文献
J-GLOBAL ID：200902205084193685
整理番号：05A0265534
薄いかつ高いAl組成障壁層を持つCat-CVD SiN不動態化AlGaN-GaN HFET
Cat-CVD SiN-Passivated AlGaN-GaN HFETs With Thin and High Al Composition Barrier Layers
HIGASHIWAKI M
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIROSE N
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MATSUI T
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻： 26 号： 3 ページ： 139-141 発行年： 2005年03月
JST資料番号： B0344B ISSN： 0741-3106 CODEN： EDLEDZ 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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