前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902205419305068
整理番号：04A0402798
Ge基板上HfO2膜の物理的,電気的性質に及ぼすNH3表面熱処理の効果
Effect of surface NH3 anneal on the physical and electrical properties of HfO2 films on Ge substrate
WU N
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
ZHANG Q
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
ZHU C
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
YEO C C
(National Univ. Singapore, Singapore)
,
CHIN A
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
KWONG D-L
(Univ. Texas, Texas)
,
DU A Y
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
TUNG C H
(Inst. Microelectronics, Singapore)
,
BALASUBRAMANIAN N
(Inst. Microelectronics, Singapore)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 84 号： 19 ページ： 3741-3743 発行年： 2004年05月10日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。