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J-GLOBAL ID:200902205490425414   整理番号:08A0099789

Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Siダイオードの素子特性に及ぼすHf-Al-O層への窒素導入の効果

Effect of Nitrogen Inclusion into Hf-Al-O Layer on Device Properties of Pt/SrBi2Ta2O9/Hf-Al-O/Si Diodes
著者 (6件):
堀内健史
(産業技術総合研)
堀内健史
(金沢工大)
大橋憲太郎
(金沢工大)
高橋光恵
(産業技術総合研)
酒井滋樹
(産業技術総合研)
酒井滋樹
(金沢工大)

資料名:
粉体および粉末冶金  (Journal of the Japan Society of Powder and Powder Metallurgy)

巻: 55  号:ページ: 17-20  発行年: 2008年01月15日 
JST資料番号: F0691A  ISSN: 0532-8799  CODEN: FOFUA2  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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