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文献
J-GLOBAL ID：200902205498754930
整理番号：04A0537651
ガスソース分子ビームエピタクシーによって成長させた引張歪を有するSi1-yCy層の評価と素子への応用
Characterization and Device Application of Tensile-Strained Si1-yCy Layers Grown by Gas-Source Molecular Beam Epitaxy
ABE K
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YABE C
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
WATAHIKI T
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
YAMADA A
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
KONAGAI M
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 43 号： 6A ページ： 3281-3284 発行年： 2004年06月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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