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文献
J-GLOBAL ID：200902205501739491
整理番号：05A0957548
CdZnTe基板とHgCdTeエピタキシャル層の電気的性質と光学的性質への水素化の効果
Effect of hydrogenation on the electrical and optical properties of CdZnTe substrates and HgCdTe epitaxial layers
SITHARAMAN S.
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
RAMAN R.
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
DURAI L.
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
PAL Surendra
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
GAUTAM Madhukar
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
NAGPAL Anjana
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
KUMAR Shiv
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
CHATTERJEE S.n.
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
,
GUPTA S.c.
(Solid State Physics Lab. (SSPL), Lucknow Road, Timarpur, Delhi 110 054, IND)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 285 号： 3 ページ： 318-326 発行年： 2005年12月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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