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J-GLOBAL ID：200902205884663620 整理番号：09A0830433

HfO₂薄膜の誘電特性に及ぼす面内歪効果

In-plane strain effects on dielectric properties of the HfO₂ thin film

著者 (3件)：

WAKUI Sadakazu

(Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...)

NAKAMURA Jun

(Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...)

NATORI Akiko

(Dep. of Electronic-Engineering, The Univ. of Electro-Communications (UEC-Tokyo), 1-5-1 Chofugaoka, Chofu, Tokyo ...)

資料名：

Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures (Journal of Vacuum Science & Technology. B. Microelectronics and Nanometer Structures)

巻： 27 号： 4 ページ： 2020 発行年： 2009年07月
JST資料番号： E0974A ISSN： 1071-1023 CODEN： JVTBD9 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

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HfO2薄膜の誘電特性に及ぼす面内歪効果

HfO₂薄膜の誘電特性に及ぼす面内歪効果