文献
J-GLOBAL ID:200902205889800790
整理番号:06A0592841
Hf2Oゲートスタックの界面安定性に及ぼすAlN層の影響
Influence of AlN layers on the interface stability of HfO2 gate dielectric stacks
著者 (4件):
AGUSTIN Melody P.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050)
,
ALSHAREEF Husam
(SEMATECH, 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741-6499)
,
QUEVEDO-LOPEZ Manuel A.
(SEMATECH, 2706 Montopolis Drive, Austin, Texas 78741-6499)
,
STEMMER Susanne
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106-5050)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
89
号:
4
ページ:
041906-041906-3
発行年:
2006年07月24日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)