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文献
J-GLOBAL ID：200902206039750340
整理番号：09A0458447
電流誘起磁化スイッチングアーキテクチャを有する磁気トンネル接合を用いた不揮発性静的ランダムアクセスメモリ
Nonvolatile Static Random Access Memory Using Magnetic Tunnel Junctions with Current-Induced Magnetization Switching Architecture
YAMAMOTO Shuu’ichirou
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
YAMAMOTO Shuu’ichirou
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SUGAHARA Satoshi
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SUGAHARA Satoshi
(JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 4,Issue 1 ページ： 043001.1-043001.7 発行年： 2009年04月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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