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文献
J-GLOBAL ID：200902206504379956
整理番号：07A0441178
MOCVDによるa面GaNの2段階エピタキシャル選択横方向被覆成長
Two-step epitaxial lateral overgrowth of a-plane GaN by MOCVD
NI X.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
OEZGUER U.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
MORKOC H.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
BASKI A.A.
(Virginia Commonwealth Univ., Virginia)
,
LILIENTAL-WEBER Z.
(Lawrence Berkeley National Lab., California)
,
EVERITT H.O.
(Duke Univ., North Carolina)
,
EVERITT H.O.
(U.S. Army Aviation & Missile Res., Alabama)
資料名：
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻： 6473 ページ： 647303.1-647303.7 発行年： 2007年
JST資料番号： D0943A ISSN： 0277-786X CODEN： PSISDG 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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