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文献
J-GLOBAL ID：200902206618827304
整理番号：08A0557468
浮動ゲートを有するポリ(3-ヘキシルチオフェン)電界効果トランジスター中でのメモリー効果
Memory Effects in Poly(3-hexylthiophene) Field-Effect Transistors with Floating Gate
KANETO Keiichi
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
MORI Keiko
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
MORITA Takeomi
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
,
TAKASHIMA Wataru
(Kyushu Inst. Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 47 号： 2 Issue 2 ページ： 1382-1384 発行年： 2008年02月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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