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文献
J-GLOBAL ID：200902206634119719
整理番号：08A0548963
電流利得遮断周波数190GHzの4H-SiC基板に作製したAlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタ
AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on 4H-SiC Substrates with Current-Gain Cutoff Frequency of 190 GHz
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
MIMURA Takashi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
,
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 1 号： 2 ページ： 021103.1-021103.3 発行年： 2008年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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