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文献
J-GLOBAL ID:200902206634119719   整理番号:08A0548963

電流利得遮断周波数190GHzの4H-SiC基板に作製したAlGaN/GaNへテロ構造電界効果トランジスタ

AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors on 4H-SiC Substrates with Current-Gain Cutoff Frequency of 190 GHz
著者 (4件):
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
MIMURA Takashi
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
MIMURA Takashi
(Fujitsu Lab. Ltd., Kanagawa, JPN)
MATSUI Toshiaki
(National Inst. of Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)

資料名:
Applied Physics Express  (Applied Physics Express)

巻:号:ページ: 021103.1-021103.3  発行年: 2008年02月25日 
JST資料番号: F0599C  ISSN: 1882-0778  CODEN: APEPC4  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 短報  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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