文献
J-GLOBAL ID:200902206637313826
整理番号:08A0251916
有機金属気相エピタキシャル法によってm-サファイア上に成長させたM-面GaN
M-plane GaN grown on m-sapphire by metalorganic vapor phase epitaxy
著者 (2件):
ARMITAGE R.
(Matsushita Electric Works, Ltd., 1048 Kadoma, Osaka 571-8686, JPN)
,
HIRAYAMA H.
(The Inst. of Physical and Chemical Res. (RIKEN), 2-1 Hirosawa, Wako-shi, Saitama 351-0198, JPN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
92
号:
9
ページ:
092121
発行年:
2008年03月03日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)