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文献
J-GLOBAL ID：200902206693436434
整理番号：09A0424971
HfO2コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入特性
池田弥央
(広島大 院先端研)
,
牧原克典
(広島大 院先端研)
,
島ノ江和広
(広島大 院先端研)
,
川浪彰
(広島大 院先端研)
,
中西翔
(広島大 院先端研)
,
森澤直也
(広島大 院先端研)
,
藤本淳仁
(広島大 院先端研)
,
大田晃生
(広島大 院先端研)
,
貫目大介
(広島大 院先端研)
,
宮崎誠一
(広島大 院先端研)
資料名：
応用物理学関係連合講演会講演予稿集
(Extended Abstracts. Spring Meeting. Japan Society of Applied Physics and Related Societies)
巻： 56th 号： 2 ページ： 914 発行年： 2009年03月30日
JST資料番号： Y0054A 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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