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文献
J-GLOBAL ID：200902206695115104
整理番号：09A0590897
GaInAs/AlAs共鳴トンネルダイオードにおける831GHzまでの基本振動
Fundamental Oscillation of up to 831GHz in GaInAs/AlAs Resonant Tunneling Diode
SUZUKI Safumi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
TERANISHI Atsushi
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
HINATA Kensuke
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
ASADA Masahiro
(Tokyo Inst. Technol., Tokyo, JPN)
,
SUGIYAMA Hiroki
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
,
YOKOYAMA Haruki
(NTT Photonics Lab., Kanagawa, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 2 号： 5 ページ： 054501.1-054501.3 発行年： 2009年05月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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