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文献
J-GLOBAL ID：200902207125595770
整理番号：08A0035885
DCマグネトロンスパッタリングによって蒸着されたすずドープ酸化インジウムおよび酸化インジウム亜鉛のフィルムの構造および内部応力
Structure and Internal Stress of Tin-Doped Indium Oxide and Indium-Zinc Oxide Films Deposited by DC Magnetron Sputtering
NISHIMURA Eriko
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
NISHIMURA Eriko
(Toshiba Corp., Yokohama, JPN)
,
SASABAYASHI Tomoko
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
ITO Norihiro
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
SATO Yasushi
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
,
UTSUMI Kentaro
(Tosoh Corp., Kanagawa, JPN)
,
YANO Koki
(Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
KAIJO Akira
(Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
INOUE Kazuyoshi
(Idemitsu Kosan Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
SHIGESATO Yuzo
(Aoyama Gakuin Univ., Kanagawa, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻： 46 号： 12 ページ： 7806-7811 発行年： 2007年12月15日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 英語 (EN)
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