文献
J-GLOBAL ID:200902207363760053
整理番号:07A0272959
相変化ランダムアクセスメモリにおける化学量論Ge2Sb2Te5の相変化挙動
Phase-Change Behavior of Stoichiometric Ge2Sb2Te5 in Phase-Change Random Access Memory
著者 (6件):
PARK Jong-Bong
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
PARK Gyeong-Su
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
BAIK Hion-Suck
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
LEE Jang-Ho
(Samsung Advanced Inst. of Technol., Suwon, KOR)
,
JEONG Hongsik
(Samsung Electronics Co., KOR)
,
KIM Kinam
(Samsung Electronics Co., KOR)
資料名:
Journal of the Electrochemical Society
(Journal of the Electrochemical Society)
巻:
154
号:
3
ページ:
H139-H141
発行年:
2007年
JST資料番号:
C0285A
ISSN:
1945-7111
CODEN:
JESOAN
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)