文献
J-GLOBAL ID:200902207588862254
整理番号:04A0770887
五元カルコパイライトCu(In1-xGax)(SySe1-y)2のバンドギャップの深さプロフィルの組成勾配からの決定
Determination of the band gap depth profile of the penternary Cu(In(1-X)GaX)(SYSe(1-Y))2 chalcopyrite from its composition gradient
著者 (9件):
BAER M
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
BOHNE W
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
ROEHRICH J
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
STRUB E
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
LINDNER S
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
LUX-STEINER M C
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
FISCHER CH-H
(Hahn-Meitner-Inst. Berlin, Berlin, DEU)
,
NIESEN T P
(Shell Solar GmbH, Munich, DEU)
,
KARG F
(Shell Solar GmbH, Munich, DEU)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
96
号:
7
ページ:
3857-3860
発行年:
2004年10月01日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)