文献
J-GLOBAL ID:200902207628003047
整理番号:03A0580610
新しい熱管理解決法のある最新の薄ウエハIGBT
Advanced thin wafer IGBTs with new thermal management solution.
著者 (7件):
OTSUKI M
(Fuji Hitachi Power Semiconductor Co., Ltd., Matsumoto, JPN)
,
KANEMARU H
(Fuji Electric Corp. R&D, Ltd.)
,
IKEDA Y
(Fuji Electric Corp. R&D, Ltd.)
,
UENO K
(Fuji Electric Corp. R&D, Ltd.)
,
KIRISAWA M
(Fuji Electric Co., Ltd.)
,
ONOZAWA Y
(Fuji Electric Co., Ltd.)
,
SEKI Y
(Fuji Electric Co., Ltd.)
資料名:
Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
(Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻:
15th
ページ:
144-147
発行年:
2003年
JST資料番号:
W1300A
ISSN:
1943-653X
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)