文献
J-GLOBAL ID:200902207870626075
整理番号:05A0564406
HfO2誘電体n-MOSFETのしきい値電圧不安定性特性
Threshold voltage instability characteristics of HfO2 dielectrics n-MOSFETs
著者 (2件):
RHEE Se Jong
(Microelectronic Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Texas at Austin, TX, USA)
,
LEE Jack C.
(Microelectronic Res. Center, Dep. of Electrical and Computer Engineering, Univ. of Texas at Austin, TX, USA)
資料名:
Microelectronics Reliability
(Microelectronics Reliability)
巻:
45
号:
7-8
ページ:
1051-1060
発行年:
2005年07月
JST資料番号:
C0530A
ISSN:
0026-2714
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)