前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：200902207932814728
整理番号：09A1243624
場構成可能イオンドープ高分子に基いたアナログメモリキャパシタ
Analog memory capacitor based on field-configurable ion-doped polymers
LAI Qianxi
(Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...)
,
ZHANG Lei
(Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...)
,
LI Zhiyong
(Information and Quantum System Lab, Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, Palo Alto, California 94304, USA)
,
STICKLE William F.
(Advanced Materials Process Lab and Advanced Diagnostic Lab, Hewlett-Packard Co., Corvallis, Oregon 97330, USA)
,
WILLIAMS R. Stanley
(Information and Quantum System Lab, Hewlett-Packard Laboratories, 1501 Page Mill Road, Palo Alto, California 94304, USA)
,
CHEN Yong
(Dep. of Mechanical and Aerospace Engineering, California NanoSystems Inst., Univ. of California, Los Angeles ...)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 95 号： 21 ページ： 213503 発行年： 2009年11月23日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。