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文献
J-GLOBAL ID：200902208089746029
整理番号：08A0392305
α-SiC基板上における3C-SiCの気液固相成長 1 成長機構
Vapor-Liquid-Solid Growth of 3C-SiC on α-SiC Substrates. 1. Growth Mechanism
SOUEIDAN Maher
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
,
SOUEIDAN Maher
(Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)
,
FERRO Gabriel
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
,
KIM-HAK Olivier
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
,
CAUWET Francois
(Univ. Claude Bernard Lyon 1, Villeurbanne, FRA)
,
NSOULI Bilal
(Lebanese Atomic Energy Commission, Beirut, LBN)
資料名：
Crystal Growth & Design
(Crystal Growth & Design)
巻： 8 号： 3 ページ： 1044-1050 発行年： 2008年03月
JST資料番号： W1323A ISSN： 1528-7483 CODEN： CGDEFU 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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