文献
J-GLOBAL ID:200902208137113556
整理番号:09A0904371
閃光電球アニーリングによるアモルファスシリコン薄膜の爆発的結晶化
Explosive crystallization of amorphous silicon films by flash lamp annealing
著者 (5件):
OHDAIRA Keisuke
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
FUJIWARA Tomoko
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
ENDO Yohei
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
NISHIZAKI Shogo
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
,
MATSUMURA Hideki
(Japan Advanced Inst. of Sci. and Technol. (JAIST), 1-1 Asahidai, Nomi, Ishikawa 923-1292, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
106
号:
4
ページ:
044907
発行年:
2009年08月15日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)