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文献
J-GLOBAL ID：200902208234921659
整理番号：09A0334323
横に成長したフィルムを使った多結晶Si TFTの特性変化に関する研究
Investigation on Characteristic Variation of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistor Using Laterally Grown Film
AKIYAMA Koji
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
WATANABE Kazunori
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
,
ASANO Tanemasa
(Kyushu Univ., Fukuoka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 48 号： 3,Issue 3 ページ： 03B014.1-03B014.5 発行年： 2009年03月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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