文献
J-GLOBAL ID:200902208246146421
整理番号:06A0479831
硫黄で過飽和した珪素の強いサブバンドギャップ赤外吸収
Strong sub-band-gap infrared absorption in silicon supersaturated with sulfur
著者 (3件):
KIM T. G.
(Div. of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138)
,
WARRENDER Jeffrey M.
(Div. of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138)
,
AZIZ Michael J.
(Div. of Engineering and Applied Sciences, Harvard Univ., Cambridge, Massachusetts 02138)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
88
号:
24
ページ:
241902-241902-3
発行年:
2006年06月12日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)