文献
J-GLOBAL ID:200902208263107766
整理番号:04A0442471
極めて薄い有機半導体層における電場効果ドーピング現象のよく知られたしきい振舞いからの起こりうるずれ
Possible Deviation from the well-known Threshold Behavior of Field-Effect Doping Phenomenon in Extremely Thin Organic Semiconductor Layer
著者 (1件):
IKEGAMI K
(AIST, Tsukuba, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers
(Japanese Journal of Applied Physics. Part 1. Regular Papers, Short Notes & Review Papers)
巻:
43
号:
5A
ページ:
2735-2736
発行年:
2004年05月15日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
日本 (JPN)
言語:
英語 (EN)